IRF7309TRPBF

Ном. номер: 8001782558
PartNumber: IRF7309TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF7309TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF7309TRPBFФото 3/4 IRF7309TRPBFФото 4/4 IRF7309TRPBF
23 руб.
29099 шт. со склада г.Москва
от 352 шт. — 20.80 руб.
от 738 шт. — 19.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 199 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
32 руб. 740 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 27 руб.
от 250 шт. — 25 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A, 4 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
6.8 ns, 11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
22 ns, 25 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мОм, 160 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
440 pF@ -15 V, 520 pF@ 15 V
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.178

Техническая документация

Datasheet IRF7309
pdf, 2059 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7309TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.