IRF1010NPBF

Ном. номер: 8001782600
PartNumber: IRF1010NPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRF1010NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRF1010NPBFФото 3/7 IRF1010NPBFФото 4/7 IRF1010NPBFФото 5/7 IRF1010NPBFФото 6/7 IRF1010NPBFФото 7/7 IRF1010NPBF
49 руб.
259 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 45.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 92 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
64 руб. 527 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 56 руб.
от 150 шт. — 54 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 68A Resistance, Rds On 0.0125ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 270A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 115W Power, Pd 115W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.011ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.2°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 85 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
85 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
180 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
39 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
11 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3210 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.727

Техническая документация

IRF1010N datasheet
pdf, 108 КБ
IRF1010NPBF Datasheet
pdf, 186 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1010NPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.