IRFS3206PBF

Ном. номер: 8001782616
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFS3206PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFS3206PBFФото 3/6 IRFS3206PBFФото 4/6 IRFS3206PBFФото 5/6 IRFS3206PBFФото 6/6 IRFS3206PBF
150 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 38 шт. — 118 руб.
от 150 шт. — 112 руб.
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
250 руб. 3 дня, 9 шт. 1 шт. 1 шт.
290 руб. 6 дней, 582 шт. 1 шт. 1 шт.
от 12 шт. — 160 руб.
от 24 шт. — 136 руб.
от 50 шт. — 125 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ

MOSFET, N, 60V, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 60V Current, Id Cont 210A Resistance, Rds On 0.0024ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Base Number 3206 Current, Idm Pulse 840A No. of Pins 3 Power Dissipation 300mW Voltage, Vds Max 60V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
120
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Крутизна характеристики S,А/В
210
Температура, С
-55...+175
Корпус
D2Pak
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
210 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
55 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6540 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.188

Техническая документация

IRFS3206PBF Datasheet
pdf, 442 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов