IRF1405PBF

Ном. номер: 8001782621
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF1405PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF1405PBFФото 3/5 IRF1405PBFФото 4/5 IRF1405PBFФото 5/5 IRF1405PBF
79 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 68.90 руб.
от 250 шт. — 65.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 63 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
100 руб. 1300 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 95 руб.
от 150 шт. — 93 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 55V, 133A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 169A Resistance, Rds On 0.0053ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 680A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 330W Power, Pd 330W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.0053ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 0.45°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 169 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.3 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
169 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
130 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5480 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.822

Техническая документация

IRF1405 Datasheet
pdf, 250 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF1405PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.