IRFR120NPBF

Ном. номер: 8001782632
PartNumber: IRFR120NPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRFR120NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRFR120NPBFФото 3/7 IRFR120NPBFФото 4/7 IRFR120NPBFФото 5/7 IRFR120NPBFФото 6/7 IRFR120NPBFФото 7/7 IRFR120NPBF
26 руб.
481 шт. со склада г.Москва
от 300 шт. — 24 руб.
Мин. кол-во для заказа 187 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
45 руб. 4 дня, 677 шт. 1 шт. 14 шт.
от 51 шт. — 28 руб.
от 150 шт. — 24 руб.
от 225 шт. — 22 руб.
140 руб. 49 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 85 руб.
от 5 шт. — 50 руб.
от 10 шт. — 38 руб.
73 руб. 4-6 недель, 363 шт. 1 шт. 2 шт.
36 руб. 8 дней, 176 шт. 1 шт. 30 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 75, корпус: DPAK

MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 9.1A Resistance, Rds On 0.21ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style D-PAK Current, Idm Pulse 38A External Depth 10.5mm External Length / Height 2.55mm Power Dissipation 39W Power, Pd 39W SMD Marking IRFR120N Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 3.2°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 100V Width, External 6.8mm
Корпус TO-252-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 210 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,4 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4.5 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
32 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
210 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
330 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.667

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.