IRF7855TRPBF

Ном. номер: 8001782654
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7855TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF7855TRPBF
56 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 97 шт. — 46.10 руб.
от 405 шт. — 43.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 85 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 8 дней, 4000 шт. 10 шт. 10 шт.
230 руб. 2-4 недели, 3415 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 166 руб.
от 100 шт. — 125 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

MOSFET, N-CH, 12A, 60V, SOIC
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.4 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Package Type
SOIC
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Series
HEXFET
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Height
1.5mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
9.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.187

Дополнительная информация

Datasheet IRF7855TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов