IRF7401PBF

Ном. номер: 8001782680
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF7401PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF7401PBFФото 3/6 IRF7401PBFФото 4/6 IRF7401PBFФото 5/6 IRF7401PBFФото 6/6 IRF7401PBF
30 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 190 шт. — 24.40 руб.
от 760 шт. — 23.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 160 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
30 руб. 2 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 26 руб.
от 250 шт. — 25 руб.
92 руб. 6 дней, 312 шт. 1 шт. 4 шт.
от 45 шт. — 36 руб.
от 95 шт. — 31 руб.
от 190 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8, АБ

MOSFET, N SO-8 TUBE 95 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 20V Current, Id Cont 8.7A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 4.5V Voltage, Vgs th Typ 0.7V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 35A External Depth 5.2mm External Length / Height 1.75mm No. of Pins 8 Pin Configuration b Pin Format 1 S 2 S 3 S 4 G 5 D 6 D 7 D 8 D Pitch, Row 6.3mm Power Dissipation 2.5W Power, Pd 2.5W SMD Marking F7401 Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Temperature, Tj Min -55°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 20V Width, External 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8.7 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
65 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток
22 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1600 pF@ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Тип корпуса
SOIC
Maximum Power Dissipation
2,5 Вт
Series
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Height
1.5мм
Максимальное сопротивление сток-исток
22 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Pin Count
8
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Вес, г
0.164

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов