IRF7478TRPBF

Ном. номер: 8001782782
PartNumber: IRF7478TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF7478TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF7478TRPBFФото 3/6 IRF7478TRPBFФото 4/6 IRF7478TRPBFФото 5/6 IRF7478TRPBFФото 6/6 IRF7478TRPBF
30 руб.
6403 шт. со склада г.Москва
от 270 шт. — 27.10 руб.
от 567 шт. — 25.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 153 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
109 руб. 4-6 недель, 1287 шт. 1 шт. 1 шт.
140 руб. 3-4 недели, 2756 шт. 1 шт. 1 шт.
92 руб. 3-4 недели, 4986 шт. 1 шт. 5 шт.
от 11 шт. — 60 руб.
83 руб. 8 дней, 4340 шт. 20 шт. 20 шт.
от 200 шт. — 52 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
44 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
21 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1740 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.186

Дополнительная информация

Datasheet IRF7478TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.