STD30NF06LT4

Ном. номер: 8001782833
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STD30NF06LT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STD30NF06LT4Фото 3/5 STD30NF06LT4Фото 4/5 STD30NF06LT4Фото 5/5 STD30NF06LT4
39 руб.
2704 шт. со склада г.Москва
от 127 шт. — 36 руб.
от 263 шт. — 34.10 руб.
от 552 шт. — 32.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 115 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
230 руб. 3-4 недели, 1007 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 109 руб.
от 45 шт. — 96.44 руб.
120 руб. 6 дней, 799 шт. 1 шт. 3 шт.
от 33 шт. — 49 руб.
от 66 шт. — 43 руб.
от 132 шт. — 40 руб.
98 руб. 8 дней, 760 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 88 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

Любой, даже самый современный микроконтроллер, не может напрямую коммутировать силовую цепь в силу ограниченной нагрузочной способностью порта. При рабочих токах нагрузки в единицы и десятки ампер необходимо использовать мощный драйвер - диапазон возможных решений лежит здесь от простейшего составного транзистора до специализированной микросхемы интегрального интеллектуального ключа.

Один из вариантов простого решения для управления мощной нагрузкой - использование MOSFET-транзистора STD30NF06LT4 (N-типа), который специально разработан для управления от логического сигнала выходного порта микроконтроллера. Уже при напряжении на затворе 3 В, этот мощный MOSFET в корпусе DPAK (TO-252-2) способен коммутировать нагрузку с током 25 A. В открытом состоянии сопротивление канала не превышает 0.03 Ом, что позволяет во многих случаях использовать транзистор без радиатора. При необходимости, небольшой теплоотвод можно реализовать непосредственно в виде полигона на

печатной плате. SMD-исполнение силового элемента все чаще применяется в современных разработках, т.к. упрощает конечную сборку изделий по сравнению с усложненным креплением корпусов типа TO-220. Напряжение коммутации STD30NF06LT4 составляет 60 В, при этом импульсный ток может достигать 140 A.

Использование STD30NF06LT4 является простым и разумным решением для управления вентилятором, мощным реле или любой другой нагрузкой подключаемой к шине питания (нижний ключ). Транзистор можно успехом использовать в DC/DC-преобразователях, системах светодиодного освещения, для управления двигателями и в усилителях звуковой частоты.

MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK

Transistor Polarity N Channel

Continuous Drain Current Id 18A

Drain Source Voltage Vds 60V

On Resistance Rds(on) 22mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs 2.5V

Threshold Voltage Vgs Typ 1.7V

Power Dissipation Pd 70W

Operating Temperature Min -55°C

Operating Temperature Max 175°C

Transistor Case Style TO-252

No. of Pins 3

SVHC No SVHC (18-Jun-2012)

Current Id Max 30A

Operating Temperature Range -55°C to +175°C

Package / Case DPAK

Termination Type SMD

Transistor Type Power MOSFET

Voltage Vds Typ 60V

Voltage Vgs Max 2.5V

Voltage Vgs Rds on Measurement 10V
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 28 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
65 нс
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
28 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
23 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1600 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.598

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов