IRFP4227PBF

Ном. номер: 8001782837
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFP4227PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFP4227PBFФото 3/4 IRFP4227PBFФото 4/4 IRFP4227PBF
200 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 25 шт. — 164 руб.
от 125 шт. — 156 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
190 руб. 781 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 184 руб.
от 150 шт. — 182 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247, АБ

Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
65 А
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
25 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4600 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
7.284

Техническая документация

IRFP4227PBF datasheet
pdf, 318 КБ
IRFP4227PBF datasheet
pdf, 318 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP4227PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов