IRG4PF50WPBF

Ном. номер: 8001782871
PartNumber: IRG4PF50WPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRG4PF50WPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRG4PF50WPBFФото 3/6 IRG4PF50WPBFФото 4/6 IRG4PF50WPBFФото 5/6 IRG4PF50WPBFФото 6/6 IRG4PF50WPBF
310 руб.
101 шт. со склада г.Москва
от 25 шт. — 284 руб.
от 50 шт. — 268 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
360 руб. 351 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 351 руб.
от 100 шт. — 344 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT транзистор

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 900V Current Ic Continuous a Max 51A Voltage, Vce Sat Max 2.7V Power Dissipation 200W Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 900V Current, Icm Pulsed 204A Device Marking IRG4PF50WPBF No. of Pins 3 Power, Pd 200W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Fall 220ns Time, Fall Max 220ns Time, Rise 26ns Transistors, No. of 1
Корпус TO247AC, Напряжение К-Э максимальное 900 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 51 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Максимальная мощность 200 Вт, Заряд затвора 160 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
900 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
51 А
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
7.104

Техническая документация

IRG4PF50WPBF Datasheet
pdf, 648 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PF50WPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.