IRF5210PBF

Ном. номер: 8001782900
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF5210PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF5210PBFФото 3/6 IRF5210PBFФото 4/6 IRF5210PBFФото 5/6 IRF5210PBFФото 6/6 IRF5210PBF
78 руб.
6550 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 67.40 руб.
от 250 шт. — 64.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 62 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
84 руб. 2250 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 76 руб.
от 150 шт. — 74 руб.
73 руб. 3 дня, 550 шт. 2 шт. 30 шт.
от 120 шт. — 70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
79 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
180 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2700 пФ при 25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
79 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
180 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2900 pF @ 15 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-40
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
200
Крутизна характеристики S,А/В
10
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB
Вес, г
2.854

Техническая документация

IRF5210 datasheet
pdf, 125 КБ
IRF5210PBF Datasheet
pdf, 189 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF5210PBF
Datasheet IRF5210PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.