IRF6218PBF

Ном. номер: 8001782935
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF6218PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF6218PBFФото 3/4 IRF6218PBFФото 4/4 IRF6218PBF
110 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 97 руб.
от 100 шт. — 93.40 руб.
от 200 шт. — 88.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 42 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 5-6 недель, 96 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 120 руб.
260 руб. 4 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 190 руб.
от 4 шт. — 153 руб.
250 руб. 6 дней, 164 шт. 1 шт. 2 шт.
от 16 шт. — 130 руб.
от 32 шт. — 108 руб.
от 100 шт. — 96 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 27 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Length
10.54mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
27 A
Тип корпуса
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
250 W
Series
IRF6218PbF
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
4.69mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
15.24mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Число контактов
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Forward Diode Voltage
1.6V
Вес, г
2.636

Дополнительная информация

Datasheet IRF6218PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов