IRF7329PBF

Ном. номер: 8001782948
PartNumber: IRF7329PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF7329PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF7329PBFФото 3/6 IRF7329PBFФото 4/6 IRF7329PBFФото 5/6 IRF7329PBFФото 6/6 IRF7329PBF
58 руб.
3024 шт. со склада г.Москва
от 137 шт. — 53.50 руб.
от 285 шт. — 50.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 78 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
56 руб. 8 дней, 70 шт. 10 шт. 10 шт.
159 руб. 4-6 недель, 1118 шт. 1 шт. 1 шт.
170 руб. 14 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 78 руб.
от 10 шт. — 68 руб.
66 руб. 4 дня, 455 шт. 1 шт. 15 шт.
от 29 шт. — 59 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8

MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: PP; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: 9.2A; Resistance, Rds On: 0.017ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.9V; Case Style: SOIC; Termination Type: SMD; Current, Idm Pulse: 37A; Depth, External: 5.2mm; Length / Height, External: 1.75mm; Marking, SMD: IRF7329PBF; Pin Format: 1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pitch, Row: 6.3mm; Power Dissipation: 2W; Power, Pd: 2W; Temperature, Current: 25°C; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 2; Voltage, Vds Max: 12V; Width, External: 4.05mm
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,2 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
340 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
12 В перем. тока/пост. тока
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
38 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3450 пФ при -10 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Вес, г
0.161

Техническая документация

IRF7329PBF Datasheet
pdf, 173 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.