IRF7204PBF

Ном. номер: 8001782952
PartNumber: IRF7204PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/7 IRF7204PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 IRF7204PBFФото 3/7 IRF7204PBFФото 4/7 IRF7204PBFФото 5/7 IRF7204PBFФото 6/7 IRF7204PBFФото 7/7 IRF7204PBF
25 руб.
2392 шт. со склада г.Москва
от 190 шт. — 23 руб.
от 285 шт. — 22.30 руб.
от 665 шт. — 21 руб.
Мин. кол-во для заказа 177 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
26 руб. 368 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 22 руб.
от 250 шт. — 21 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5.3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
100 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
860 pF@ 10 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Вес, г
0.158

Техническая документация

IRF7204 Datasheet
pdf, 145 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.