BC850CW.115

Ном. номер: 8001782976
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BC850CW.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BC850CW.115Фото 3/5 BC850CW.115Фото 4/5 BC850CW.115Фото 5/5 BC850CW.115
2 руб.
22542 шт. со склада г.Москва
от 3000 шт. — 1.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 1031 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
7.60 руб. 3-4 недели, 120000 шт. 1 шт. 100 шт.
от 1500 шт. — 4.60 руб.
98 руб. 1578 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 55 руб.
от 5 шт. — 22 руб.
от 10 шт. — 12 руб.
7 руб. 8 дней, 1700 шт. 100 шт. 200 шт.
от 1000 шт. — 4.85 руб.
3 руб. 4 дня, 9000 шт. 1 шт. 424 шт.
от 847 шт. — 2.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UMT
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Вес, г
0.042

Техническая документация

BC849W_850W
pdf, 187 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.