IRF3808PBF

Ном. номер: 8001783002
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF3808PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF3808PBFФото 3/5 IRF3808PBFФото 4/5 IRF3808PBFФото 5/5 IRF3808PBF
95 руб.
9615 шт. со склада г.Москва
от 50 шт. — 86 руб.
от 100 шт. — 82.60 руб.
от 200 шт. — 78.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 46 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 1918 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 104 руб.
от 150 шт. — 102 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 140 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
140 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
16.51мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
68 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
7 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
150 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5310 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.57

Техническая документация

IRF3808PBF Datasheet
pdf, 216 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3808PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.