IRFR18N15DPBF

Ном. номер: 8001783018
PartNumber: IRFR18N15DPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFR18N15DPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFR18N15DPBFФото 3/6 IRFR18N15DPBFФото 4/6 IRFR18N15DPBFФото 5/6 IRFR18N15DPBFФото 6/6 IRFR18N15DPBF
50 руб.
525 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 45.80 руб.
от 300 шт. — 43.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 91 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
67 руб. 3-5 недель, 4210 шт. 1 шт. 2 шт.
160 руб. 24 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 110 руб.
от 5 шт. — 68 руб.
от 10 шт. — 55 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 75, корпус: DPAK

Корпус TO-252-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 125 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8,8 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
15 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
125 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
28 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
900 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
0.587

Техническая документация

IRFR18N15DPBF Datasheet
pdf, 220 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.