IRFS38N20DPBF

Ном. номер: 8001783117
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFS38N20DPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFS38N20DPBFФото 3/3 IRFS38N20DPBF
110 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 50 шт. — 84.40 руб.
от 200 шт. — 80.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
250 руб. 383 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 180 руб.
от 5 шт. — 136 руб.
от 10 шт. — 118 руб.
99 руб. 4 дня, 167 шт. 1 шт. 18 шт.
от 35 шт. — 88 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: D2PAK, АБ

Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 43 А, Сопротивление открытого канала (мин) 54 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
38 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
29 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
54 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
60 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2900 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Вес, г
2.386

Техническая документация

IRFS38N20 Datasheet
pdf, 133 КБ
IRFB38N20DPBF Datasheet
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов