IRFU5305PBF

Ном. номер: 8001783118
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRFU5305PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRFU5305PBFФото 3/6 IRFU5305PBFФото 4/6 IRFU5305PBFФото 5/6 IRFU5305PBFФото 6/6 IRFU5305PBF
39 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 150 шт. — 32.30 руб.
от 600 шт. — 30.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 121 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
48 руб. 274 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 41 руб.
от 150 шт. — 39 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: IPAK, АБ

Корпус IPAK, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.3мм
Высота
6.1мм
Размеры
6.6 x 2.3 x 6.1мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
39 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1200 pF@ 25 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.709

Техническая документация

IRFU5305 Datasheet
pdf, 169 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов