IRL100HS121

Ном. номер: 8001783261
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRL100HS121
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRL100HS121
18 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 248 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 2-4 недели, 1385 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 90 руб.
от 100 шт. — 66 руб.
114 руб. 3-5 недель, 26 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN6, АБ

Полевой МОП-транзистор OptiMOS 5 поколения с каналом N-типа, 100 В, 11 А, в корпусе PQFN (2x2 мм)

Характеристики:

Полярность: N;

Напряжение сток-исток: 100 В;

Ток: 11 А;

Сопротивление сток-исток: 34 мОм;

Напряжение затвор-исток: ±20 В;

Рассеиваемая мощность: 11.5 Вт;

Заряд затвора: 3.7 нКл;

Время спада: 10.7 нс;

Время нарастания: 21 нс;

Рабочая температура: -55...+175 °С;

Корпус: PQFN (2x2 мм)

Корпус PQFN6

Технические параметры

Transistor Mounting
Surface Mount
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Линейка Продукции
OptiMOS 5 Series
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
11А
Полярность Транзистора
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
1.7В
Рассеиваемая Мощность
11.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.034Ом
Стиль Корпуса Транзистора
PQFN
Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet IRL100HS121
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов