IRF7807TRPBF

Ном. номер: 8001783282
PartNumber: IRF7807TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7807TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7807TRPBFФото 3/3 IRF7807TRPBF
59 руб.
81 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 77 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
85 руб. 8 дней, 4900 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 56 руб.
от 500 шт. — 47 руб.
от 2000 шт. — 36.25 руб.
90 руб. 5-10 дней, 922 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
8,3 А
Package Type
SOIC
Maximum Power Dissipation
2,5 Вт
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.5мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 5 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Вес, г
0.12

Дополнительная информация

Datasheet IRF7807TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.