IRFI4212H-117P

Ном. номер: 8001783284
PartNumber: IRFI4212H-117P
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRFI4212H-117P
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRFI4212H-117PФото 3/5 IRFI4212H-117PФото 4/5 IRFI4212H-117PФото 5/5 IRFI4212H-117P
84 руб.
59 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 58 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
103 руб. 4-6 недель, 942 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 94.80 руб.
230 руб. 30 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 170 руб.
от 5 шт. — 124 руб.
от 10 шт. — 108 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Корпус TO220F5, Конфигурация и полярность Dual N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 58 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220F5

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
18 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.02мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.02мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Серия
Типичное время задержки включения
4,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
9.5 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
73 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
5
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
490 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
3.494

Техническая документация

IRFI4212H-117P datasheet
pdf, 278 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFI4212H-117P

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.