BFG35.115

Ном. номер: 8001783291
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BFG35.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BFG35.115Фото 3/4 BFG35.115Фото 4/4 BFG35.115
45 руб.
490 шт. со склада г.Москва
от 110 шт. — 41 руб.
от 228 шт. — 39.30 руб.
от 479 шт. — 37.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 6 дней, 527 шт. 1 шт. 3 шт.
от 30 шт. — 56 руб.
от 59 шт. — 49 руб.
от 118 шт. — 45 руб.
163 руб. 3-5 недель, 83 шт. 1 шт. 1 шт.
170 руб. 2-4 недели, 83 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 124 руб.
76 руб. 8 дней, 295 шт. 5 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: SOT223

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 18 В, Ток коллектора 150 мА, Коэффициент усиления по току, min 25, Коэффициент усиления по току, max 70

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рабочая частота
4000 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база
25 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
NXP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
18 В
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
150 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1.7мм
Число контактов
4
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Configuration
Single Dual Emitter
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
25
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
18
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)
<20
Maximum Emitter Base Voltage (V)
2
Maximum DC Collector Current (A)
0.15
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.12 to 0.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
1000
Operational Bias Conditions
10V/100mA
Minimum DC Current Gain
25@100mA@10V
Minimum DC Current Gain Range
2 to 30
Maximum Power Dissipation (mW)
1000
Typical Power Gain (dB)
15
Maximum Transition Frequency (MHz)
4000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
4
Supplier Package
SC-73
Standard Package Name
SC
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.7(Max)
Package Length
6.7(Max)
Package Width
3.7(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.258

Дополнительная информация

Datasheet BFG35.115
Datasheet BFG35.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов