STW11NK100Z

Ном. номер: 8001783440
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/8 STW11NK100Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 STW11NK100ZФото 3/8 STW11NK100ZФото 4/8 STW11NK100ZФото 5/8 STW11NK100ZФото 6/8 STW11NK100ZФото 7/8 STW11NK100ZФото 8/8 STW11NK100Z
140 руб.
480 шт. со склада г.Москва
от 90 шт. — 114 руб.
от 150 шт. — 109 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 399 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 139 руб.
от 150 шт. — 137 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 8.3 А; Rси(вкл): 1.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 113 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.38 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8.3 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
230 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
27 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
98 ns
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.38 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
113 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3500 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.10.00.80
Lead Shape
Through Hole
Tab
Tab
Package Height
20.15(Max)
Package Width
5.15(Max)
Package Length
15.75(Max)
Mounting
Through Hole
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
SuperMESH
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
1000
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
8.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
1380@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
113@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
113
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
3500@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
230000
Typical Fall Time (ns)
55
Typical Rise Time (ns)
18
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
98
Typical Turn-On Delay Time (ns)
27
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Supplier Package
TO-247
Pin Count
3
Standard Package Name
TO-247
Military
No
Вес, г
6.272

Техническая документация

CD00003426
pdf, 308 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW11NK100Z
Datasheet STW11NK100Z
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.