BSZ0910NDXTMA1

Ном. номер: 8001783546
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 BSZ0910NDXTMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BSZ0910NDXTMA1
26 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 175 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
160 руб. 2-4 недели, 4999 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 117 руб.
от 100 шт. — 87 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGWISON8, АБ

BSZ0910ND - представляют собой полумостовую схему из двух N-канальных транзисторов. Используемая технология OptiMOS в сочетании с корпусом PQFN размером 3 x 3 мм предлагает оптимизированное решение для DC-DC приложений с критическими требованиями к пространству.

Характеристики:

V DS max: 30 В;

R DS(on) max: 9.5 мОм;

I D max: 25 А;

Q G: 4 нК

Особенности BSZ0910ND:

Корпус: PG-WISON-8

Ультра-низкий заряд затвора Qg;

Симметричный полумост в небольшом корпусе 3 x 3 мм;

Теплоотводящая площадка под корпусом;

Логический уровень управления: 4.5 В;

Низкие потери при переключении;

Высокая частота переключения;

Низкие потери на управление затворами;

Низкая рабочая температура;

Соответствуют RoHS

BSZ0910ND подходит для беспроводных систем зарядки, приводов электродвигателей (мультикоптеров), там, где необходимо получить компактные устройства.

Корпус PGWISON8

Технические параметры

Вес, г
0.112

Дополнительная информация

Datasheet BSZ0910NDXTMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов