SM6T30CA

Ном. номер: 8001783578
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/4 SM6T30CA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 SM6T30CAФото 3/4 SM6T30CAФото 4/4 SM6T30CA
7 руб.
4463 шт. со склада г.Москва
от 780 шт. — 5.70 руб.
от 3270 шт. — 5.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 682 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
13 руб. 1959 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 10 руб.
от 1000 шт. — 9.10 руб.
7 руб. 3 дня, 2500 шт. 1 шт. 100 шт.
от 400 шт. — 6.20 руб.
12 руб. 3-4 недели, 1895 шт. 5 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 10.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
TVS диоды

кол-во в упаковке: 2500, корпус: DO214AA

Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uогр(ном): 30 В; Uогр(диапазон): 28.5...31.5 В; Тип: Симм; Линий: 1
Корпус DO214AA, Напряжение ограничения (номинальное) 30 В, Тип супрессора по свойствам Симм, Рассеиваемая мощность 5 Вт, Количество линий ограничения 1, Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт

Технические параметры

Серия
Полярность
Количество каналов
Типовое рабочее напряжение
Максимальное обратное напряжение стабилизации
Минимальное пробивное напряжение
Максимальное напряжение фиксации
Максимальный импульсный ток
Мощность
Рабочая температура
Корпус
Diode Configuration
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.6мм
Максимальное напряжение фиксации
53.5V
Минимальное пробивное напряжение
28.5V
Производитель
STMicroelectronics
Максимальный пиковый импульсный ток
75A
Тип корпуса
DO-214AA (SMB)
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.95мм
Испытательный ток
1mA
Максимальное обратное напряжение стабилизации
25.6V
Максимальный обратный ток утечки
200нА
Высота
2.45мм
Число контактов
2
Размеры
4.6 x 3.95 x 2.45мм
Тип направления
Двунаправленный
Рассеяние пиковой импульсной мощности
600W
Мощность, Вт
600
Полярность
двунаправленный
Вес, г
0.384

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных диодов