BC847.215

Ном. номер: 8001783691
PartNumber: BC847.215
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BC847.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BC847.215Фото 3/5 BC847.215Фото 4/5 BC847.215Фото 5/5 BC847.215
0.90 руб.
0.80 руб.
37429 шт. со склада г.Москва
от 9000 шт. — 0.71 руб.
от 21000 шт. — 0.66 руб.
Мин. кол-во для заказа 5883 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 руб. 19772 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.20 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзистор биполярный стандартный

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
3
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Вес, г
0.028

Техническая документация

BC847_SER
pdf, 211 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC847.215

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.