IRF540ZPBF

Ном. номер: 8001783836
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF540ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF540ZPBFФото 3/6 IRF540ZPBFФото 4/6 IRF540ZPBFФото 5/6 IRF540ZPBFФото 6/6 IRF540ZPBF
35 руб.
337 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 32 руб.
от 300 шт. — 30 руб.
Мин. кол-во для заказа 126 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
51 руб. 2506 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 43 руб.
от 150 шт. — 41 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 36 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26.5 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
92 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
27 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1770 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
92 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
27 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1770 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.688

Техническая документация

IRF540ZPBF Datasheet
pdf, 378 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF540ZPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.