IRF7104TRPBF

Ном. номер: 8001783866
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF7104TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF7104TRPBF
23 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 241 шт. — 18.40 руб.
от 1013 шт. — 17.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 211 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
25 руб. 4 дня, 6072 шт. 1 шт. 92 шт.
от 183 шт. — 21 руб.
65 руб. 3 дня, 581 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 25 руб.
от 200 шт. — 24 руб.
63 руб. 3-4 недели, 3651 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 46 руб.
от 30 шт. — 42.80 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2.3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
42 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9.3 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
290 пФ при -15 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Вес, г
0.188

Дополнительная информация

Datasheet IRF7104TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов