IKB30N65EH5ATMA1

Ном. номер: 8001783977
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IKB30N65EH5ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IKB30N65EH5ATMA1
120 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 39 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
500 руб. 2-4 недели, 971 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 370 руб.
от 100 шт. — 293 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-263-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;

Ток коллектора: 35 А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 55 A;

Рассеиваемая мощность: 188 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 70 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-263-3

Корпус TO263

Технические параметры

Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet IKB30N65EH5ATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов