BC847BS.115

Ном. номер: 8001784008
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BC847BS.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BC847BS.115Фото 3/4 BC847BS.115Фото 4/4 BC847BS.115
2 руб.
63415 шт. со склада г.Москва
от 3000 шт. — 1.50 руб.
от 12000 шт. — 1.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 2605 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10 руб. 1720 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 6.50 руб.
от 1000 шт. — 5.20 руб.
5.40 руб. 3-5 недель, 658 шт. 1 шт. 30 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSSOP6

Корпус TSSOP6, Тип проводимости и конфигурация NPN/NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,755 В
Длина
2.2мм
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
6
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,755 В
Длина
2.2мм
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1мм
Число контактов
6
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.027

Техническая документация

BC847BS
pdf, 85 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC847BS.115
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов