PESD5V0L4UG.115

Ном. номер: 8001784056
PartNumber: PESD5V0L4UG.115
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 PESD5V0L4UG.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 PESD5V0L4UG.115Фото 3/4 PESD5V0L4UG.115Фото 4/4 PESD5V0L4UG.115
7 руб.
2851 шт. со склада г.Москва
от 1260 шт. — 5.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 710 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
25 руб. 8 дней, 700 шт. 20 шт. 20 шт.
17 руб. 4 дня, 2784 шт. 1 шт. 37 шт.
от 147 шт. — 10 руб.
от 294 шт. — 7.80 руб.
от 587 шт. — 6.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Защитный диод

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT353

Корпус SOT353, Напряжение ограничения (номинальное) 6.8 В, Рабочее напряжение 5 В, Ток утечки при рабочем напряжении 5 ммкА, Количество линий ограничения 4, Пиковая рассеиваемая мощность 30 Вт

Технические параметры

Diode Configuration
2 сдвоенных с общим катодом
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Защита от электрических разрядов
No
Количество элементов на ИС
4
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение фиксации
13V
Минимальное пробивное напряжение
6.46V
Производитель
Nexperia
Максимальный пиковый импульсный ток
2.5A
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Испытательный ток
1mA
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Максимальный обратный ток утечки
25нА
Высота
1мм
Число контактов
5
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Тип направления
Однонаправленный
Рассеяние пиковой импульсной мощности
30W
Вес, г
0.041

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.