STP11NK40Z

Ном. номер: 8001784216
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/7 STP11NK40Z
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 STP11NK40ZФото 3/7 STP11NK40ZФото 4/7 STP11NK40ZФото 5/7 STP11NK40ZФото 6/7 STP11NK40ZФото 7/7 STP11NK40Z
49 руб.
1557 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 40.80 руб.
от 450 шт. — 38.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 96 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 3-5 недель, 1850 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 105 руб.
190 руб. 49 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 120 руб.
от 5 шт. — 80 руб.
от 10 шт. — 65 руб.
49 руб. 6 дней, 447 шт. 1 шт. 33 шт.
от 150 шт. — 39 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
400 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
32 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
930 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
SuperMESH
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
400
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
9
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
32@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
32
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
930@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
110000
Typical Fall Time (ns)
18
Typical Rise Time (ns)
20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Typical Turn-On Delay Time (ns)
20
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Вес, г
2.59

Техническая документация

...11NK40Z
pdf, 500 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STP11NK40Z
Datasheet STP11NK40Z
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов