IHW30N120R5XKSA1

Ном. номер: 8001784223
PartNumber: IHW30N120R5XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IHW30N120R5XKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IHW30N120R5XKSA1Фото 3/3 IHW30N120R5XKSA1
230 руб.
89 шт. со склада г.Москва
от 30 шт. — 209 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
330 руб. 5-10 дней, 239 шт. 1 шт. 1 шт.
318 руб. 4-6 недель, 161 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 298 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 1200 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-247-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;

Ток коллектора: 30 А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.55 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 60 A;

Рассеивамаяе мощность: 330 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 235 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-247-3

Корпус TO-247-3

IGBT транзистор
Кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

Технические параметры

Вес, г
7.655

Дополнительная информация

Datasheet IHW30N120R5XKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.