IPD95R1K2P7ATMA1

Ном. номер: 8001784229
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPD95R1K2P7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPD95R1K2P7ATMA1
64 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 85 шт. — 52.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 74 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 2-4 недели, 201 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 144 руб.
от 100 шт. — 108 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Транзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7

Технические характеристики:

Корпус: DPAK-3;

Полярность транзистора: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 950 В;

Номинальный ток: 6 А;

Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом;

Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В;

Напряжение затвор-исток: 20 В;

Заряд: 15 нК;

Рабочая температура: -55... +150 °С;

Рассеиваемая мощность: 52 Вт;

Время спада: 12 нс;

Время нарастания: 10 нс;

Типичное время задержки выключения: 36 нс;

Типичное время задержки включения: 7 нс

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом

Технические параметры

Вес, г
0.38

Дополнительная информация

Datasheet IPD95R1K2P7ATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов