IPD95R750P7ATMA1

Ном. номер: 8001784231
PartNumber: IPD95R750P7ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPD95R750P7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPD95R750P7ATMA1
77 руб.
261 шт. со склада г.Москва
от 104 шт. — 70.50 руб.
от 218 шт. — 66.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 59 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
260 руб. 2-4 недели, 2560 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 195 руб.
от 100 шт. — 147 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

Транзистор MOSFET 950 В CoolMOS P7

Технические характеристики:

Корпус: DPAK-3;

Полярность транзистора: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 950 В;

Номинальный ток: 9 А;

Сопротивление открытого канала: 0.75 Ом;

Пороговое напряжение затвор-исток: 3 В;

Напряжение затвор-исток: 20 В;

Заряд: 23 нК;

Рабочая температура: -55... +150 °С;

Рассеиваемая мощность: 73 Вт;

Время спада: 8 нс;

Время нарастания: 7 нс;

Типичное время задержки выключения: 46 нс;

Типичное время задержки включения: 8 нс

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм

Технические параметры

Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet IPD95R750P7ATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.