IRF7342TRPBF

Ном. номер: 8001784257
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRF7342TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRF7342TRPBFФото 3/4 IRF7342TRPBFФото 4/4 IRF7342TRPBF
28 руб.
11550 шт. со склада г.Москва
от 174 шт. — 26 руб.
от 361 шт. — 24.20 руб.
от 758 шт. — 23.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 158 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
33 руб. 2553 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 29 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3,4 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
170 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
26 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
690 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.188

Дополнительная информация

Datasheet IRF7342TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.