SKM100GB12T4

Ном. номер: 8001785386
Производитель: Semikron Elektronik
Фото 1/6 SKM100GB12T4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 SKM100GB12T4Фото 3/6 SKM100GB12T4Фото 4/6 SKM100GB12T4Фото 5/6 SKM100GB12T4Фото 6/6 SKM100GB12T4
3 360 руб.
66 шт. со склада г.Москва
от 3 шт. — 2 938 руб.
от 8 шт. — 2 798 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 610 руб. 3 дня, 16 шт. 1 шт. 1 шт.
от 14 шт. — 3 472.14 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Модули IGBT

кол-во в упаковке: 8

IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 2]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 100 А; Технология: IGBT 4 Fast (Trench); Ключей: 2

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
94мм
Transistor Configuration
Серия
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
160 A
Тип корпуса
SEMITRANS2
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
34мм
Высота
30.1мм
Число контактов
7
Размеры
94 x 34 x 30.1мм
Конфигурация
Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
159.7

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB12T4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.