IRFZ34NSPBF

Ном. номер: 8001785414
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFZ34NSPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFZ34NSPBF
29 руб.
25 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 178 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
206 руб. 3-4 недели, 115 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 153 руб.
от 30 шт. — 142 руб.
от 100 шт. — 132 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: D2PAK, АБ

MOSFET, N, 55V, 29A, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 55V; Current, Id Cont: 29A; Resistance, Rds On: 0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD; Case Style, Alternate: D2-PAK; Current, Idm Pulse: 100A; Marking, SMD: FZ34NS; Power Dissipation: 68W; Power Dissipation, on 1 Sq. PCB: 3.8W; Power, Pd: 68W; Temperature, Current: 25°C; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A: 2.2°C/W; Voltage, Vds: 55V; Voltage, Vds Max: 55V; Voltage, Vgs th Max: 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 29 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
31 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
700 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.364

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов