IRFZ48VPBF

Ном. номер: 8001785541
PartNumber: IRFZ48VPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRFZ48VPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRFZ48VPBFФото 3/5 IRFZ48VPBFФото 4/5 IRFZ48VPBFФото 5/5 IRFZ48VPBF
45 руб.
1156 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 43 руб.
от 200 шт. — 41.30 руб.
от 350 шт. — 39 руб.
Мин. кол-во для заказа 96 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
61 руб. 691 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 54 руб.
от 150 шт. — 51 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 72 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7,6 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
157 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
12 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1985 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.62

Техническая документация

IRFz48v
pdf, 111 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFZ48VPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.