BD681

Ном. номер: 8001785644
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/7 BD681
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/7 BD681Фото 3/7 BD681Фото 4/7 BD681Фото 5/7 BD681Фото 6/7 BD681Фото 7/7 BD681
13 руб.
6885 шт. со склада г.Москва
от 350 шт. — 12 руб.
от 800 шт. — 11.30 руб.
от 1650 шт. — 10.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 339 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
20 руб. 1460 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 16 руб.
от 150 шт. — 14.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO225

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; h21: от 750
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 4 А, Коэффициент усиления по току, min 750

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
7.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 A
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
7.8 x 2.7 x 10.8мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
7.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
0.2mA
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 A
Тип корпуса
SOT-32
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
7.8 x 2.7 x 10.8мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Вес, г
1.28

Техническая документация

BD678 DATASHEET
pdf, 254 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BD681
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.