IRFZ44ZPBF

Ном. номер: 8001785965
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFZ44ZPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFZ44ZPBFФото 3/3 IRFZ44ZPBF
34 руб.
258 шт. со склада г.Москва
от 150 шт. — 31 руб.
Мин. кол-во для заказа 129 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
45 руб. 1173 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 38 руб.
от 150 шт. — 36 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 51 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13.9 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
51 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
33 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
29 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1420 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
80 W
Series
HEXFET
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Height
8.77mm
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
2.698

Техническая документация

IRFZ44
pdf, 166 КБ
irfz44zpbf
pdf, 382 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFZ44ZPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.