IRF7319TRPBF

Ном. номер: 8001785984
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/8 IRF7319TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 IRF7319TRPBFФото 3/8 IRF7319TRPBFФото 4/8 IRF7319TRPBFФото 5/8 IRF7319TRPBFФото 6/8 IRF7319TRPBFФото 7/8 IRF7319TRPBFФото 8/8 IRF7319TRPBF
33 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 154 шт. — 30 руб.
от 320 шт. — 28.10 руб.
от 671 шт. — 26.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 140 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
36 руб. 2296 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 33 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4.9 A, 6.5 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
8.1 ns, 13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 ns, 34 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
46 mΩ, 98 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Структура
N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30/-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
6.5/-4.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
29/58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики S,А/В
14
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8
Вес, г
0.188

Техническая документация

IRF7319PBF Datasheet
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7319TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов