IGOT60R070D1AUMA1

Ном. номер: 8001785999
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IGOT60R070D1AUMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IGOT60R070D1AUMA1
1 850 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 060 руб. 2-4 недели, 577 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 2 880 руб.
от 10 шт. — 2 690 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 15, корпус: PGDSO20, АБ

Нитрид-галлиевый МОП-транзистор; N канал; нормально закрытый; 600 В; 31 A; 125 Вт; поверхностный монтаж.

Характеристики:

Технология: GaN

Корпус: PG-DSO-20;

Полярность транзистора: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 600 В;

Непрерывный ток: 31 А;

Сопротивление сток-исток: 70 мОм;

Пороговое напряжение затвор-исток: 0.9 В;

Напряжение затвор-исток: -10 В;

Заряд затвора: 5.8 нК;

Рабочая температура Tj: -55...+150 °С;

Рассеиваемая мощность: 125 Вт;

Время спада: 13 нс;

Время нарастания: 9 нс;

Монтаж: SMD / SMT

Корпус PGDSO20, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм

Технические параметры

Вес, г
2.5

Дополнительная информация

Datasheet IGOT60R070D1AUMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов