IGT60R070D1ATMA1

Ном. номер: 8001786000
PartNumber: IGT60R070D1ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IGT60R070D1ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IGT60R070D1ATMA1
1 720 руб.
22 шт. со склада г.Москва
от 5 шт. — 1 580 руб.
от 10 шт. — 1 491 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 890 руб. 3-4 недели, 1725 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 2 540 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 2000, корпус: PGHSOF8

IGT60R070D1 - это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия семейства CoolGaN™ от Infineon с напряжением исток-сток 600 В. Новая технология обеспечивает значительные преимущества по сравнению с кремнием, включая максимальную эффективность, надежность, плотность мощности и высокое качество.

IGT60R070D1 нормально закрытые и работают аналогично обычным кремниевым МОП-транзисторам при применении драйверов, учитывающих специфику управления затворами GaN HEMT. Транзисторы серии CoolGaN обеспечивают КПД системы до 98 % и имеют высокий показатель качества FOM (Rds(on) x Qg.

Особенности:

Технические характеристики IGT60R070D1:

Нормально закрытые GaN-транзисторы с улучшенной структурой работающие в режиме обогащения;

Ультрабыстрое переключение;

Нет заряда обратного восстановления;

Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд;

Высокая надежность коммутации;

Отлично подходит для жестких и мягких топологий коммутации;

Корпус для поверхностного монтажа позволяет достичь максимальных результатов для технологии CoolGaN;

Простота использования с доступным ассортиментом драйверов;

Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (JESD47 и JESD22).

Напряжение исток-сток VDS, max: 600 В;

Максимальный ток стока ID: 31 А (25 °С);

Максимальный импульсный ток стока ID, pulse: 60 А;

Сопротивление открытого транзистора, макс RDS(on), max: 70 мОм;

Полный заряд затвора, QG, typ: 5.8 нКл;

Выходной заряд Qoss: 41 нКл (400 В);

Заряд восстановления диода Qrr: 0

Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм

Технические параметры

Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet IGT60R070D1ATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.