PD55015-E

Ном. номер: 8001786095
PartNumber: PD55015-E
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 PD55015-E
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 PD55015-EФото 3/3 PD55015-E
1 610 руб.
73 шт. со склада г.Москва
от 6 шт. — 1 478 руб.
от 12 шт. — 1 395 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1 840 руб. 4 дня, 45 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 1 640 руб.
от 3 шт. — 1 530 руб.
от 5 шт. — 1 470 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET, RF, 15W, 500MHZ; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 12.5V; Current, Id Cont: 5A; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: PowerSO-10RF; Termination Type: SMD; Power, Pd: 73W; Temperature, Full Power Rating: 70°C; Voltage, Vds Max: 40V
Корпус POWERSO10RF, Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel, Рабочая частота (ном) 500 МГц, Коэффициент усиления (мин) 14 дБ

RF транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: POWERSO10RF

Технические параметры

Типичный коэффициент усиления по мощности
14 дБ
Максимальная рабочая температура
+165 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
9.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Тип корпуса
PowerSO
Максимальное рассеяние мощности
73 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.5мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
3.6мм
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
10
Размеры
9.6 x 9.5 x 3.6мм
Категория
МОП-транзистор РЧ
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
89 пФ при 12,5 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
1.805

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.