BC856.215

Ном. номер: 8001786114
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/5 BC856.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BC856.215Фото 3/5 BC856.215Фото 4/5 BC856.215Фото 5/5 BC856.215
0.90 руб.
0.80 руб.
36460 шт. со склада г.Москва
от 6000 шт. — 0.66 руб.
от 27000 шт. — 0.62 руб.
Мин. кол-во для заказа 5953 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 6915 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
2 руб. 3-4 недели, 49600 шт. 50 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 1.50 руб.
от 1500 шт. — 1.40 руб.
от 5000 шт. — 1.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 125, Коэффициент усиления по току, max 475

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
125
Вес, г
0.044

Техническая документация

BC856_BC857_BC858
pdf, 158 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC856.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов