STP9NK90Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва
460 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 3 680 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 5А, 160Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | to220ab | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 28 ns | |
| Height | 9.15 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A | |
| Length | 10.4 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 160 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.3 Ohms | |
| Rise Time | 13 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | N-channel MDmesh | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 4.6 mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
STW9NK90Z
pdf, 989 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
