IRF7324TRPBF

Ном. номер: 8001786191
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7324TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7324TRPBFФото 3/3 IRF7324TRPBF
53 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 102 шт. — 43.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 89 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 8 дней, 3240 шт. 10 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 93 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
17 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
170 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Максимальное сопротивление сток-исток
26 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 nC @ 5.0 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2940 пФ при -15 В
Тип канала
A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Вес, г
0.193

Дополнительная информация

Datasheet IRF7324TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов